南大光电高端 ArF 光刻胶获得突破 未来可用于 7nm 工艺

　　原标题：南大光电高端 ArF 光刻胶获得突破 未来可用于 7nm 工艺

　　在半导体制造上，国内厂商需要突破的不只是光刻机等核心设备，光刻胶也是重要的一环。南大光电日前宣布，该公司研发的高端 ArF 光刻机已经获得了国内某企业的认证，用于 55nm 工艺制造。

　　南大光电于 5 月 31 日晚间发布公告，控股子公司宁波南大光电自主研发的 ArF 光刻胶继 2020 年 12 月在一家存储芯片制造企业的 50nm 闪存平台上通过认证后，近日又在逻辑芯片制造企业 55nm 技术节点的产品上取得了认证突破，表明公司光刻胶产品已具备 55nm 平台后段金属布线层的工艺要求。

　　不过南大光电没有透露具体的客户名字。

　　在光刻机市场上，国内自给率极低，欧美日等地区的厂商占据主要份额，JSR、信越化学等 TOP5 厂商占据全球 87% 的份额。

　　光刻胶有不同的技术类别，低端的中 g 线 / i 线光刻胶自给率约为 20%，KrF 光刻胶自给率不足 5%，而高端的 ArF 光刻胶完全依赖进口，是国内半导体的卡脖子技术之一。

　　虽然南大光电的 ArF 光刻胶现在通过的是 55nm 工艺认证，但 ArF 光刻胶涵盖的工艺技术很广，可用于 90nm-14nm 甚至 7nm 技术节点制造工艺，广泛应用于高端芯片制造（如逻辑芯片、 存储芯片、AI 芯片、5G 芯片和云计算芯片等）。